因为IEC61000-3-2中对75W以上(75W以下除C类设备外其他不做要求)的谐波值有要求，所以我们正真看到市面上很多充电头都是65W、55W或更低，超过65W的基本都是100W以上的也不难发现，65W以下的充电头使用的都是反激变换器，100W以上的产品一般都会有

  这里的反激又根据不同控制方式分为普通反激、准谐振反激和有源钳位反激(Active Clamp Flyback, ACF)。

  相比较而言，准谐振反激能减小开关损耗，提高效率，自然也能把开关频率和功率密度做高，但也存在一些挑战，如谷底检测、跳频现象及其产生的噪音，同时漏感中的能量也是消耗掉了；

  ACF相比于准谐振则更进两步，能实现开关管的ZVS开通，漏感的能量能回收利用，但这也是有代价的，如需要漏感电流(DCM ACF下等于励磁电流)小于零，而高压Si器件的寄生电容Coss较大，需要的抽流电流比较大，并且ACF的成本相比于普通反激或准谐振反激要高(多出一个开关管以及所需的驱动)，有可能得不偿失，下图就表示了对于Si器件的ACF，实现部分ZVS要比完全实现ZVS的效率要更高。

  但是随着GaN器件的发展，基于GaN器件的ACF相较于Si器件表现出更大的优势，所以ACF又得到了广泛的应用，这里用到GaN器件主要的优势是相同Rdson下寄生电容Coss相比于Si器件小很多，所以要很小的抽流电流就能实现ZVS开通。下图能够正常的看到GaN器件的ACF效率相比于Si器件能提高2%。

  ACF的控制方式要比普通反激更为复杂，也有很多必须要格外注意的地方，根据励磁电流是否过零，ACF可大致分为CCM和CRM，因为CCM实现ZVS靠的是漏感的电流，因为漏感较小，所以更大的反向电流才能实现ZVS，或者外加电感增加抽流电感值，且在轻载或高母线电压下不容易实现ZVS，另外副边SR没办法实现ZCS，而CRM实现ZVS是靠漏感和励磁电感共同抽流，所以实现ZVS更容易，但属于变频控制。

  钳位反激(ACF)，因为反激主要用在小功率场合以及CCM反激的一些缺点，CRM的ACF应用更广。

  简析（2） /

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