VMXXX 模块有多个电源接口，分别为： 宽电压电源输入（ VIN）、内核电源（ VDD）、 参考电压源（ VREF）、 振弦传感器激励电源（ VSEN）， 各电源共用 GND。

  电源输入（ VIN）： 宽电压 VIN 管脚为模块供电（ DC5~15V），推荐电压为 6.0V~10.0V， VIN 可产生内核电源 VDD， 当使用 VIN 管脚为模块供电时， VDD 管脚为输出,输出能力为 200mA， 最好还是不要使用 VDD 输出过大电流，以免影响模块内核的正常工作。

  内核电源（ VDD）： 可由 VIN 产生，当不使用 VIN 时，此管脚作为电源输入， 需要外接 DC3.3V电源。 模块工作时峰值电流约为 100mA，建议使用输出能力 200mA 或以上的电压源。 VMXXX 模块

  参考电压（ VREF）： 此管脚为输入，应直接连接到 VDD（无需精准的参考电压源）。

  激励电源（ VSEN）： VSEN 为传感器激励过程提供电能，当采用高压激励方法时， VSEN 作为泵压源， 一般情况下 VSEN 电压越高则可获取的激励电压也越高； 当采用低压扫频激励方法时，VSEN电压即是扫频电压。 建议采用200mA 或以上的电压源为VSEN供电，供电电压推荐为DC8V~12V。

  注意： VMx1x 模块时， VSEN 可选择是否在内部连接于 VIN，请在确认后再使用 VSEN。请格外的注意电源的设计。 振弦传感器返回信号为微弱的正弦波， 为减少电源纹波对传感器信号的影响，建议所有电源均使用纹波较小的 LDO 稳压器。 当使用交流电转直流的供电方式时，模块地线（ GND）一定要可靠接地（大地）， 某些低端的交流转直流适配器会将交流干扰引入，极度影响模块信号处理质量，甚至完全没有办法使用。

  建议靠近电源管脚（ VDD 尤其重要） 使用一个 10µF 钽电容（低 ESR)和一个 0.1µF 的陶瓷电容并联。增加并联的电容可以有效去除高频干扰。同时为防止浪涌对芯片的损坏，建议在模块电源输入管脚使用一个适合电压的 500mW 的齐纳二极管防止模块的超压损坏。 PCB 布局时，电容和二极管应尽可能靠近模块的电源输入管脚。

  上电启动时 RST 管脚为输入，当检测到管脚为低电平时复位参数为出厂值。详见“3.3 恢复出厂参数” 。在启动完成后此管脚为 IIC-SDA 功能。VMx0x 模块的 RST 管脚未连接上拉电阻，为避免上电时参数复位，外部必须连接2k~4.7k 上拉电阻，其它型号模块此管脚已内置了 4.7k 上拉电阻。

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