湖南静芯请求内嵌PNP和GGNMOS的可控硅静电防护器材专利进步保持电压
来源：大鱼游戏官网 发布时间：2025-08-05 11:48:27金融界2025年1月25日音讯，国家知识产权局信息数据显现，湖南静芯半导体科技有限公司请求一项名为“一种内嵌PNP和GGNMOS的可控硅静电防护器材及其制造的进程”的专利，揭露号CN 119342903 A，请求日期为2024年10月。
专利摘要显现，本发明揭露了一种内嵌PNP和GGNMOS的可控硅静电防护器材及其制造的进程，选用单向可控硅结构，N阱中添加浮空N+注入区，NW与PW之间添加浮空P+注入区，衔接阳极的P+注入区和上述浮空N+、P+注入区相邻，一起构成内嵌的PNP三极管；PW中嵌入栅极接地的NMOS结构(即GGNMOS)，坐落PW中的P+注入区与GGNMOS的漏极相连,相当于PW里存在一个寄生NPN三极管，一起寄生NPN三极管的集电极与主SCR中的NPN三极管的基极相连。在传统SCR的基础上参加的寄生PNP和NPN三极管经过导线串联，可构成外表分流途径，然后有用地削弱主SCR途径的正反馈效应，进步保持电压；本发明的可控硅整流器静电防护器材具有高保持电压高失效电流的特色能够远离闩锁危险有用维护内部电路。
天眼查资料显现，湖南静芯半导体科技有限公司，成立于2024年，坐落长沙市，是一家以从事科技推广和使用服务业为主的企业。企业注册资本200万人民币。经过天眼查大数据分析，湖南静芯半导体科技有限公司专利信息6条，此外企业还具有行政许可1个。
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